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31 julio 2018
Transistores de Grafeno obtenidos mediante irradiación con láser de pulsos ultracortos
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Un equipo conjunto de investigadores de España, Alemania y Rusia obtienen transistores de Grafeno mediante irradiación con láser de pulsos ultracortos

Elgrafeno es el único material que apunta a provocar una revolución en el mundo de la electrónica. Además, cada año trae consigo nuevos descubrimientos que afectan positivamente en las propiedades electrónicas, ópticas y mecánicas del mismo.

La pregunta que está presente entre todos los investigadores es qué tecnología innovadora llevaría el grafeno al nivel industrial; ya que las tecnologías vigentes, como la tecnología CMOS tradicional no se puede combinar directamente con las aplicaciones de grafeno; las litografías basadas en fotografías y electrones, que son el proceso principal en la industria actual de semiconductores, requieren el uso de polímeros y líquidos agresivos que pueden alterar drásticamente las propiedades iniciales del grafeno. Por lo tanto, el grafeno requiere el desarrollo de nuevas tecnologías de procesamiento.

En este eje, un equipo de investigadores del Centro de Aplicaciones Láser AIMEN (España), Forschungszentrum Jülich (Alemania) y la Universidad Nacional de Investigación de Tecnología Electrónica (Rusia), han desarrollado un método para la reconstrucción directa e inmediata de las propiedades del grafeno:


El método está basado en el tratamiento de superficies de grafeno con pulsos de láser ultrarrápidos. Cuando la longitud del pulso es del orden de femtosegundos, los efectos térmicos pueden eliminarse, dando lugar a reacciones químicas fotoinducidas.

Más información en nanowerk.

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