Investigadores de la Universidad de Purdue publican los resultados de un fototransistor de grafeno con una amplia zona fotosensible, en comparación de una zona altamente confinada.
Los fotodetectores grafeno tienen, en este momento, un área fotosensible muy restringida, limitando su rendimiento. Los investigadores proponen como solución combinar el grafeno con un sustrato de carburo de silicio, creando un transistor de efecto de campo de grafeno (GFETs) activado por la luz.
Los fotodetectores de alto rendimiento pueden ser útilies para aplicaciones que incluyen telecomunicaciones de alta velocidad y cámaras ultra sensibles para astrofísica, así como aplicaciones de detección y electrónica portátil.
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