Una nueva técnica permitiría crecer sensores de alto rendimiento sobre sustratos de zafiro, y luego transferirlos sobre diversos sustratos poliméricos o metálicos, extendiendo su aplicabilidad y resultando en dispositivos portables, económicos, móviles o incluso desechables.
El equipo del Georgia Institute of Technology cultivan monocapas de Nitruro de Boro sobre zafiro, empleando epitaxia MOVPE a 1300 °C, resultando en una nanocapa con la cristalografía adecuada para soportar la capa activa.
Entonces los dispositivos de AlGaN/GaN se crecen sobre esa capa también con MOVPE, pero éstos están fijados al Nitruro únicamente por fuerzas de Van der Waals, por lo que son fáciles de extraer mediante peel-off.
El dispositivo extraído puede aplicarse sobre diversos sustratos, incluyendo sustratos flexibles, abriendo nuevas oportunidades para el diseño de dispositivos optoelectrónicos. Se han probado ya sensores de gas completamente funcionales transferidos sobre láminas de cobre, aluminio, y diversos polímeros.
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