Un equipo del Instituto de Ciencia de Materiales de Barcelona ha logrado dibujar patrones locales en alta resolución y a gran velocidad en materiales semiconductores orgánicos utilizados en aplicaciones optoelectrónicas y fotónicasInvestigadores del Instituto de Ciencia de Materiales de Barcelona (ICMAB-CSIC) han conseguido dibujar patrones locales en alta resolución y a gran velocidad, en materiales semiconductores orgánicos utilizados en aplicaciones optoelectrónicas y fotónicas.
El nuevo método permite modificar las características del material y las propiedades finales concomitantes, incluida la conformación, orientación, cristalinidad y composición molecular. La técnica, publicada en acceso abierto en Nature Communications, también ha sido patentada y actualmente se buscan socios industriales para su desarrollo conjunto, informan en un comunicado desde el Instituto.
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